Composants actifs

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Amplificateur opérationnel LF357 JFET haute vitesse à large bande passante pour circuits électroniques performants.

• Vitesse de balayage (Slew Rate) : 50 V/µs
• Produit Gain-Bande : 20 MHz
• Haute impédance d'entrée : 10¹² Ω
• Type : Décompensé (Gain stable ≥ 5)
• Format du boîtier : DIP-8

Le module ESP8266 ESP-12E est un microcontrôleur WiFi puissant idéal pour connecter vos projets IoT et domotique.

• Processeur Tensilica L106 32-bit à 80 MHz
• Mémoire Flash 4 Mo intégrée
• Support WiFi 802.11 b/g/n 2.4 GHz
• Tension de fonctionnement 3.3V
• Antenne PCB intégrée optimisée

Circuit intégré CMOS monolithique CD4007 à trois paires de transistors complémentaires pour conception logique et analogique.

• Type de boîtier : DIP-14
• Tension d'alimentation : 3 V à 15 V
• Technologie : CMOS (Canaux N et P)
• Impédance d'entrée : Élevée (10¹² Ω)
• Temps de propagation : 35 ns typique

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Régulateur de tension linéaire LDO LM1117 3.3V 800mA en boîtier TO-220 pour une alimentation fiable.

• Tension de sortie : 3.3 V fixe (±1%)
• Courant de sortie max : 800 mA
• Boîtier : TO-220 (dissipation thermique optimale)
• Faible chute de tension (Dropout) : 1.2 V
• Protection thermique et limitation de courant

Régulateur de tension à découpage efficace pour abaisser des tensions élevées avec précision et stabilité maximale.

• Tension d'entrée : 4,5 V à 40 V
• Tension de sortie : 1,2 V à 37 V
• Courant de sortie max : 3 A
• Fréquence de découpage : 150 kHz
• Topologie : Buck (Step-Down)

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Diode HER508 5A 1000V ultra-rapide et haute efficacité, idéale pour la réparation d'alimentations à découpage.

• Tension inverse max : 1000 V
• Courant direct moyen : 5 A
• Temps de recouvrement : 75 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)
• Surcharge max : 150 A

Diode de redressement ultra-rapide HER208 2A 1000V pour applications de commutation haute fréquence efficaces et fiables.

• Tension inverse max (VRRM) : 1000V
• Courant direct moyen : 2.0A
• Vitesse de recouvrement : 75ns
• Courant de surcharge (IFSM) : 60A
• Boîtier : DO-15 standard axial

Diode de redressement à recouvrement rapide FR307 3A 1000V pour circuits haute fréquence et alimentations performantes.

• Type : Diode Fast Recovery (Rapide)
• Tension inverse max (VRRM) : 1000 V
• Courant direct (IF) : 3 A
• Temps de recouvrement : 500 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)

Mémoire EEPROM série 16 Kbits fiable avec interface I2C pour le stockage de données non volatiles.

• Capacité de 16 Kb (2K x 8)
• Interface série I2C 2 fils
• Boîtier DIP-8 standard
• Tension large 1.8V à 5.5V
• Endurance de 1 million de cycles

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Mémoire EEPROM série AT24C256 256 Kbits I2C fiable pour stockage de données non-volatiles sur Arduino.

• Capacité : 256 Kbits (32 Ko)
• Interface : Série I2C (2-Wire)
• Tension : 1,7 V à 5,5 V
• Boîtier : DIP-8 standard
• Endurance : 1M cycles écriture

Module Peltier TEC1-12710 12V haute performance pour refroidissement rapide et projets thermiques exigeants.

• Tension nominale : 12V DC (Max 15.4V)
• Courant max : 10A (Puissance élevée)
• Puissance frigorifique : 85W à 110W
• Delta T max : ≥ 66°C
• Dimensions : 40 x 40 x 3.4 mm