Composants actifs

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant de Drain : 49 A
• Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor MOSFET de puissance Canal P IRF4905 -55V 74A en boîtier TO-220 pour commutation efficace.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -55 V
• Courant continu : -74 A
• Résistance RDS(on) : 0.02 Ohm
• Boîtier : TO-220AB robuste
• Utilisation : Commutation High-Side