Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.
Vous cherchez à commuter des charges importantes ou à contrôler la vitesse de moteurs puissants sans transformer votre circuit en radiateur ? L'IRFZ44N est la référence incontournable pour les passionnés d'électronique et les professionnels au Maroc. Ce MOSFET de puissance à canal N utilise la technologie avancée HEXFET pour offrir une commutation ultra-rapide et une robustesse à toute épreuve. Contrairement aux transistors standards, l'IRFZ44N brille par sa résistance à l'état passant (Rds-on) extrêmement faible, ce qui signifie moins de perte d'énergie et une efficacité thermique maximale pour vos alimentations à découpage et contrôleurs PWM.
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Technologie | MOSFET Canal N (HEXFET) |
| Tension Drain-Source ($V_{DSS}$) | 55 V |
| Courant de Drain Continu ($I_D$) | 49 A (@ 25°C) |
| Courant Pulsé ($I_{DM}$) | 160 A |
| Résistance $R_{DS(on)}$ | 17,5 mΩ (@ 10V Vgs) |
| Dissipation Max ($P_D$) | 94 W |
| Tension Grille-Source Max ($V_{GS}$) | ±20 V |
| Boîtier | TO-220AB |
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Attention, l'IRFZ44N n'est pas un MOSFET "logic-level". Il nécessite une tension grille-source ($V_{GS}$) de 10 V pour saturer complètement et atteindre sa résistance minimale ($R_{DS(on)}$). Avec 5 V, il peut fonctionner pour de faibles charges mais risque de chauffer. Avec 3.3 V, il ne s'activera pas correctement. Pour ces tensions, utilisez un driver de MOSFET ou préférez un modèle IRLZ44N.
La limite de 49 A est théorique et suppose un refroidissement parfait. Sans radiateur, le boîtier TO-220 ne dissipe que 2 W environ. De plus, si votre tension de commande ($V_{GS}$) est trop faible, la résistance interne augmente, générant une chaleur excessive (Loi de Joule : $P = R \times I^2$). Un dissipateur thermique est souvent nécessaire.
Il est recommandé d'installer une résistance série (100 à 470 $\Omega$) pour protéger la sortie de votre microcontrôleur contre les appels de courant. Une résistance de pull-down de 10 k$\Omega$ entre la grille et la source est cruciale pour maintenir le MOSFET éteint si le signal de commande est flottant.
Oui, c'est une de ses fonctions principales. Cependant, vous devez impérativement placer une diode de roue libre (comme une 1N4007 ou UF4007) en parallèle de la charge (moteur, relais). Sans cela, les pics de tension inverses détruiront le MOSFET instantanément à la coupure.
C'est déconseillé. Bien que sa tension max soit de 55 V, un système "48 V" (comme une batterie pleine) peut dépasser 54 V. La marge de sécurité est trop faible et les pics de commutation risquent de claquer le composant. Optez pour un MOSFET supportant au moins 75 V ou 100 V pour cette application.
À haute fréquence, la capacité de la grille peut ralentir les transitions. L'utilisation d'un driver de MOSFET dédié permet de charger et décharger la grille rapidement, ce qui réduit la chauffe et limite le bruit électromagnétique dans votre circuit.
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