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Transistor MOSFET IRFZ44N Canal N 55V 49A TO-220

12,00 MAD
TTC

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

  • Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
  • Tension Drain-Source : 55 V
  • Courant de Drain : 49 A
  • Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
  • Boîtier : TO-220AB
Quantité
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Domptez la Puissance : Pourquoi choisir le MOSFET IRFZ44N pour vos projets ?

Vous cherchez à commuter des charges importantes ou à contrôler la vitesse de moteurs puissants sans transformer votre circuit en radiateur ? L'IRFZ44N est la référence incontournable pour les passionnés d'électronique et les professionnels au Maroc. Ce MOSFET de puissance à canal N utilise la technologie avancée HEXFET pour offrir une commutation ultra-rapide et une robustesse à toute épreuve. Contrairement aux transistors standards, l'IRFZ44N brille par sa résistance à l'état passant (Rds-on) extrêmement faible, ce qui signifie moins de perte d'énergie et une efficacité thermique maximale pour vos alimentations à découpage et contrôleurs PWM.

Performance et Spécifications Clés du Transistor IRFZ44N

  • Courant de Drain Massif : Capable de gérer un courant continu de 49 A à 25°C, idéal pour les charges lourdes.
  • Haute Tension de Rupture : Supporte une tension Drain-Source ($V_{DSS}$) allant jusqu'à 55 V.
  • Efficacité Énergétique : Une résistance interne ($R_{DS(on)}$) typique de seulement 17,5 mΩ, minimisant la dissipation de chaleur.
  • Commutation Rapide : Avec un temps de montée de 60 ns, il est parfait pour les fréquences PWM élevées.
  • Robustesse Thermique : Conçu pour fonctionner sur une plage étendue de -55 °C à +175 °C, logé dans un boîtier TO-220AB standard facile à monter sur dissipateur.

Applications Concrètes : Que faire avec un IRFZ44N ?

  • Pilotage de Moteurs DC : Créez des variateurs de vitesse robustes via PWM pour vos robots ou outillages.
  • Éclairage LED de Puissance : Commutez des rubans LED ou des spots gourmands en énergie sans scintillement.
  • Conversion d'Énergie : Composant clé pour la réparation ou la conception d'onduleurs et de convertisseurs DC-DC.
  • Gestion de Batterie : Idéal pour les systèmes de protection et de charge nécessitant une faible chute de tension.
  • Projets Arduino / ESP32 : Interfacez des charges de haute puissance avec vos microcontrôleurs (nécessite un driver ou un étage de commande adapté).

Fiche Technique Détaillée : IRFZ44N

Paramètre Valeur
Technologie MOSFET Canal N (HEXFET)
Tension Drain-Source ($V_{DSS}$) 55 V
Courant de Drain Continu ($I_D$) 49 A (@ 25°C)
Courant Pulsé ($I_{DM}$) 160 A
Résistance $R_{DS(on)}$ 17,5 mΩ (@ 10V Vgs)
Dissipation Max ($P_D$) 94 W
Tension Grille-Source Max ($V_{GS}$) ±20 V
Boîtier TO-220AB

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Questions Fréquentes (FAQ) sur l'utilisation du MOSFET IRFZ44N

Peut-on piloter l'IRFZ44N directement avec un Arduino (5V) ou un ESP32 (3.3V) ?

Attention, l'IRFZ44N n'est pas un MOSFET "logic-level". Il nécessite une tension grille-source ($V_{GS}$) de 10 V pour saturer complètement et atteindre sa résistance minimale ($R_{DS(on)}$). Avec 5 V, il peut fonctionner pour de faibles charges mais risque de chauffer. Avec 3.3 V, il ne s'activera pas correctement. Pour ces tensions, utilisez un driver de MOSFET ou préférez un modèle IRLZ44N.

Pourquoi le transistor chauffe-t-il même si le courant est inférieur à 49 A ?

La limite de 49 A est théorique et suppose un refroidissement parfait. Sans radiateur, le boîtier TO-220 ne dissipe que 2 W environ. De plus, si votre tension de commande ($V_{GS}$) est trop faible, la résistance interne augmente, générant une chaleur excessive (Loi de Joule : $P = R \times I^2$). Un dissipateur thermique est souvent nécessaire.

Quelles résistances faut-il pour câbler la grille (Gate) ?

Il est recommandé d'installer une résistance série (100 à 470 $\Omega$) pour protéger la sortie de votre microcontrôleur contre les appels de courant. Une résistance de pull-down de 10 k$\Omega$ entre la grille et la source est cruciale pour maintenir le MOSFET éteint si le signal de commande est flottant.

Est-il adapté pour contrôler un moteur ou une charge inductive ?

Oui, c'est une de ses fonctions principales. Cependant, vous devez impérativement placer une diode de roue libre (comme une 1N4007 ou UF4007) en parallèle de la charge (moteur, relais). Sans cela, les pics de tension inverses détruiront le MOSFET instantanément à la coupure.

Puis-je l'utiliser pour un système en 48 V ?

C'est déconseillé. Bien que sa tension max soit de 55 V, un système "48 V" (comme une batterie pleine) peut dépasser 54 V. La marge de sécurité est trop faible et les pics de commutation risquent de claquer le composant. Optez pour un MOSFET supportant au moins 75 V ou 100 V pour cette application.

Comment réduire les interférences lors d'une commande PWM ?

À haute fréquence, la capacité de la grille peut ralentir les transitions. L'utilisation d'un driver de MOSFET dédié permet de charger et décharger la grille rapidement, ce qui réduit la chauffe et limite le bruit électromagnétique dans votre circuit.

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  • Technologie : HEXFET rapide et robuste
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