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MOSFET 9N50C 9N50C N 500V 9A
MOSFET 9N50C 9N50C N Chanel 500V 9A TO-220F
Transistor de puissance MOSFET IRFP450A Canal-N 500V 14A en boîtier TO-247 pour applications industrielles exigeantes.
Votre projet nécessite une commutation de puissance sans compromis ? Ne laissez pas la chaleur excessive ou les tensions instables limiter vos conceptions. Le IRFP450A s'impose comme la solution de référence pour les ingénieurs et techniciens exigeants au Maroc. Ce transistor à effet de champ HEXFET® Power MOSFET de troisième génération combine une robustesse exceptionnelle à une capacité de commutation rapide. Grâce à son boîtier TO-247, conçu pour une dissipation thermique supérieure, il gère aisément les environnements industriels difficiles là où les composants standards échouent. C'est le choix intelligent pour garantir la longévité de vos circuits de puissance.
| Paramètre | Valeur / Spécification |
|---|---|
| Technologie | HEXFET® (Canal N) |
| Boîtier | TO-247AC (3 broches) |
| Tension Drain-Source (V_DSS) | 500 V |
| Courant de Drain (I_D) @ 25°C | 14 A |
| Résistance R_DS(on) Max | 0,40 Ω |
| Dissipation de puissance (P_D) | 190 W |
| Tension Gate-Source (V_GS) | ± 30 V |
| Charge de grille totale (Q_g) | 64 nC Max |
| Température de fonctionnement | -55 °C à +150 °C |
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R : Absolument. L'IRFP460 est l'alternative la plus recommandée. Il supporte jusqu'à 20A sous 500V dans le même boîtier TO-247. Cela offre une marge de sécurité supérieure pour les applications de puissance critiques, bien qu'il faille noter que sa charge de grille soit légèrement plus élevée.
R : Non, l'IRFP450A n'est pas un MOSFET "Logic Level". Même si sa tension de seuil démarre vers 2V-4V, il a impérativement besoin d'une tension de grille (Vgs) d'environ 10V pour saturer complètement et atteindre sa résistance minimale de 0,4 ohm. Un pilote de grille (driver) ou un transistor intermédiaire est nécessaire avec un Arduino.
R : Le courant nominal de 14A est valide si le boîtier est maintenu à 25°C, ce qui est théorique. En pratique, avec une résistance interne de 0,4 Ω, la dissipation thermique (P = R × I²) est importante (ex: environ 40W à 10A). L'utilisation d'un dissipateur thermique performant est donc obligatoire pour évacuer cette chaleur.
R : Oui, c'est essentiel. Une résistance de grille (généralement entre 10 et 100 ohms) limite les appels de courant lors de la charge de la capacité de grille et amortit les oscillations parasites (ringing) qui pourraient détruire le transistor ou perturber votre circuit de commande.
R : La capacité d'entrée du MOSFET agit comme un condensateur à charger/décharger très vite. Si votre contrôleur ne fournit pas assez de courant, la commutation traîne, laissant le MOSFET dans une zone résistive qui crée une surchauffe massive. Pour le PWM haute fréquence, un circuit Gate Driver dédié est indispensable.
R : La limite absolue est de ±30V. Cependant, pour la sécurité et la longévité du composant, il est fortement conseillé de piloter la grille avec une tension stable comprise entre 10V et 15V. Dépasser cette plage risque de percer l'oxyde de grille et de détruire le MOSFET irréversiblement.