Transistor IGBT K50H603 Canal N 600V 50A 333W TO-247

85,00 MAD
TTC

Transistor IGBT K50H603 haute performance 600V 50A Infineon pour réparation onduleurs et soudure.

  • Tension Collecteur-Émetteur Vce : 600 V
  • Courant de Collecteur Ic : 50 A (100°C)
  • Technologie : TRENCHSTOP™ 3ème génération
  • Puissance dissipée Ptot : 333 W
  • Boîtier : TO-247 robuste 3 broches
Quantité

Maîtrisez la Haute Puissance avec le Transistor IGBT K50H603

Vos équipements industriels montrent des signes de faiblesse ? Ne laissez pas une défaillance de composant paralyser votre production. Le K50H603 (référence officielle IKW50N60H3) n'est pas un simple transistor ; c'est la clé de voûte pour redonner vie à vos convertisseurs de puissance et postes à souder. Conçu par le géant Infineon Technologies, ce composant allie la rapidité de commutation à une robustesse thermique exceptionnelle. Si vous cherchez à optimiser le rendement énergétique tout en minimisant les pertes de chaleur, ce modèle intégrant la technologie TRENCHSTOP™ de 3ème génération est la solution technique incontournable pour vos réparations et conceptions électroniques les plus exigeantes.

Technologies et Atouts du IKW50N60H3

  • Puissance brute maîtrisée : Capable de gérer un courant continu de 50 A à 100°C et jusqu'à 100 A à 25°C, garantissant une stabilité inébranlable sous charge.
  • Technologie TRENCHSTOP™ avancée : Une architecture qui réduit drastiquement les pertes de conduction avec une tension de saturation Vcesat ultra-faible de 1,85 V.
  • Protection intégrée DuoPack : Inclut une diode anti-parallèle à recouvrement rapide et doux, essentielle pour réduire les pics de tension et protéger votre circuit contre les retours inductifs.
  • Résistance aux conditions extrêmes : Conçu pour fonctionner avec une température de jonction allant jusqu'à 175 °C, offrant une marge de sécurité vitale pour les environnements industriels chauds.
  • Commutation haute vitesse : Idéal pour les fréquences élevées grâce à une diode rapide (trr ≈ 180 ns), minimisant les interférences électromagnétiques (EMI).

Projets et Réparations : Où utiliser le K50H603 ?

  • Réparation de Postes à Souder (Inverter) : Le composant de choix pour remplacer les IGBT grillés dans les convertisseurs de soudage industriels, assurant un arc stable et puissant.
  • Chauffage par Induction : Parfait pour les plaques de cuisson et les systèmes de chauffe industriels nécessitant une commutation rapide et efficace.
  • Alimentations UPS (Onduleurs) : Garantit la continuité de service et l'efficacité de conversion pour les systèmes de secours électrique.
  • Variateurs de Vitesse Moteur : Offre un contrôle précis et robuste pour le pilotage de moteurs AC dans les machines-outils.
  • Convertisseurs Haute Fréquence : Optimise le découpage de puissance pour réduire la taille des composants magnétiques tout en augmentant le rendement.

Fiche Technique Détaillée : Transistor K50H603 (Infineon)

Caractéristique Valeur / Spécification
Référence Commerciale IKW50N60H3
Marquage Boîtier K50H603
Tension Collecteur-Émetteur (Vce) 600 V
Courant Collecteur (Ic) @ 100°C 50 A
Courant Collecteur (Ic) @ 25°C 100 A
Courant Pulsé (Ic pulse) 150 A
Puissance Dissipée (Ptot) 333 W (à 25°C Tc)
Tension Vce(sat) Typique 1,85 V
Tension Grille (Vge) ±20 V
Boîtier TO-247 (3 broches)

Commander le Transistor IGBT K50H603 au Maroc

Ne prenez pas de risques avec des composants de qualité inférieure. Commandez dès aujourd'hui votre IGBT K50H603 original et assurez la longévité de vos réparations. Nous offrons une livraison rapide partout au Maroc et un prix compétitif pour les professionnels. Stock disponible immédiatement pour une expédition prioritaire.

Questions Fréquentes sur le Transistor de Puissance IKW50N60H3

Quelle est la différence entre le marquage K50H603 et la référence IKW50N60H3 ?

Il n'y a aucune différence technique, c'est le même composant. K50H603 est simplement le code court gravé sur le boîtier TO-247 pour des raisons d'espace, tandis que IKW50N60H3 est la référence catalogue complète d'Infineon.

Quelle tension de commande (Vge) appliquer pour une performance optimale ?

Pour saturer correctement ce transistor, une tension de grille de 15V est fortement recommandée. Une tension trop faible (ex: 10V) augmentera la résistance interne et causera une surchauffe immédiate par pertes de conduction.

Pourquoi le K50H603 chauffe-t-il après un remplacement ?

Ce transistor a une charge de grille (Qg) élevée de 180nC. Si votre circuit de commande (driver) est faible ou si la résistance de grille est inadaptée, la commutation sera lente (« traînante »), générant beaucoup de chaleur. Vérifiez l'état de votre circuit driver avant l'installation.

Ce composant est-il protégé contre les courts-circuits ?

Oui, il offre une tenue au court-circuit de 5 µs (microsecondes), à condition que la tension de grille ne dépasse pas 15V et que la température reste dans les normes. C'est une sécurité cruciale pour les onduleurs.

Comment gérer la dissipation thermique de 333W ?

Attention, 333W est une valeur théorique à 25°C. En pratique, il est impératif de monter le K50H603 sur un dissipateur thermique volumineux avec de la pâte thermique de qualité. Une ventilation active est souvent nécessaire pour maintenir la jonction sous les 175°C.

12732

16 autres produits dans la même catégorie :

Triac BTA24 25A 600V/800V TO-220
  • Rupture de stock

Triac BTA24 25A 600V/800V TO-220

12,00 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

Triac de puissance BTA24 25A 600V/800V isolé en boîtier TO-220 pour commutation de charges AC exigeantes.

  • Courant efficace (RMS) : 25 A
  • Tension de blocage : 600 V / 800 V
  • Type de boîtier : TO-220AB Isolé
  • Courant de gâchette : 35-50 mA
  • Usage : Contrôle moteur et chauffage
Transistor MOSFET IRFP460A Canal N 500V 20A TO-247
  • Rupture de stock

Transistor MOSFET IRFP460A Canal N 500V 20A TO-247

40,00 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

  • Tension Drain-Source : 500 V
  • Courant Drain : 20 A
  • Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
  • Boîtier : TO-247AC
  • Dissipation : 280 W

Thyristor BT151-800R 12A 800V TO-220

12,00 MAD
Disponibilité: 29 En stock

Thyristor SCR BT151-800R 12A 800V en boîtier TO-220 pour commutation de puissance et régulation moteur fiable.

  • Tension de blocage max : 800 V
  • Courant efficace (RMS) : 12 A
  • Courant de surcharge (ITSM) : 120 A
  • Courant de gâchette (IGT) : < 15 mA
  • Boîtier : TO-220AB standard

Kit électronique détecteur de métaux DIY 60mm

95,00 MAD
Disponibilité: 2 En stock

Découvrez ce kit DIY détecteur de métaux performant, idéal pour l'initiation à la soudure et l'électronique pratique.

  • Modèle : Kit MDS-60 à assembler
  • Tension de fonctionnement : 3V à 5V DC
  • Distance de détection : Max 60 mm
  • Indicateurs : Alarme sonore et lumineuse
  • Dimensions PCB : 86 mm x 61 mm
Transistor MOSFET IRLML2402 Canal N 20V 1.2A SOT-23
  • Rupture de stock

Transistor MOSFET IRLML2402 Canal N 20V 1.2A...

2,00 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

Transistor MOSFET Canal N IRLML2402 SOT-23 pour commutation logique efficace et compacte sous 20V 1.2A.

  • Type : MOSFET Canal N (Logic Level)
  • Tension Drain-Source : 20V
  • Courant continu : 1.2A
  • Résistance Rds(on) : 0.25Ω
  • Boîtier : SOT-23 (SMD)

Triac BT134 4A 600V TO-126

6,00 MAD
Disponibilité: 170 En stock

Triac sensible 4A 600V en boîtier TO-126 pour le contrôle précis de charges AC et moteurs.

  • Tension de blocage max : 600 V
  • Courant efficace (RMS) : 4 A
  • Gâchette sensible pour microcontrôleurs
  • Boîtier compact TO-126 (SOT-82)
  • Commutation fiable 4 quadrants

Triac BTA16-600B 16A 600V TO-220

10,00 MAD
Disponibilité: 71 En stock

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

  • Courant efficace (RMS) : 16 A
  • Tension max : 600 V
  • Technologie : Snubberless (Haute immunité)
  • Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
  • Courant de gâchette : 50 mA

Transistor NPN 2N2222 800mA 30V TO-92

1,50 MAD
Disponibilité: 924 En stock

Transistor NPN 2N2222 polyvalent 800mA 30V en boîtier TO-92 pour commutation et amplification de projets électroniques.

  • Type : Bipolaire NPN (BJT)
  • Courant continu (Ic) : 800 mA
  • Tension Vceo : 30 V
  • Gain (hFE) : 100 - 300
  • Fréquence : 300 MHz
  • Boîtier : TO-92
IRFP450A Transistor MOSFET Canal-N 14A 500V TO-247
  • Rupture de stock

IRFP450A Transistor MOSFET Canal-N 14A 500V TO-247

25,00 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

Transistor de puissance MOSFET IRFP450A Canal-N 500V 14A en boîtier TO-247 pour applications industrielles exigeantes.

  • Type : MOSFET Canal-N HEXFET®
  • Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
  • Courant de Drain (Id) : 14 A
  • Résistance (Rds-on) : 0,40 Ω
  • Dissipation (Pd) : 190 W
  • Boîtier : TO-247AC (3 broches)

Triac BT138 600V 12A TO-220

10,00 MAD
Disponibilité: 97 En stock

Triac BT138-600V 12A robuste pour commutation AC et contrôle de phase en boîtier TO-220.

  • Tension répétitive de pointe : 600 V
  • Courant efficace (RMS) : 12 A
  • Sensibilité gâchette (VGT) : 1.5 V max
  • Courant de pointe non répétitif : 95 A
  • Boîtier standard : TO-220AB
Triac BT137 600V 8A TO-220
  • Rupture de stock

Triac BT137 600V 8A TO-220

8,00 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

Triac BT137 8A 600V robuste pour le contrôle précis de charges AC et commutation de puissance.

  • Courant efficace (IT RMS) : 8 A
  • Tension de blocage : 600 V
  • Boîtier standard TO-220AB
  • Commutation bidirectionnelle
  • Compatible microcontrôleurs
Transistor MOSFET 2N7002 Canal N 60V 300mA SOT-23
  • Rupture de stock

Transistor MOSFET 2N7002 Canal N 60V 300mA SOT-23

2,50 MAD
Ajouter au panier
Disponibilité: Rupture de stock

Transistor MOSFET 2N7002 SOT-23 compact pour commutation rapide et adaptation de niveaux logiques en électronique.

  • Tension Drain-Source : 60V Max
  • Courant de Drain : 300mA Continu
  • Boîtier : SOT-23 (SMD)
  • Vitesse : Temps de montée ~7ns
  • Compatibilité : Logique 3.3V et 5V

Transistor BC327 PNP 800mA 45V TO-92

2,00 MAD
Disponibilité: 1072 En stock

Transistor bipolaire PNP BC327 haute puissance 800mA pour commutation et amplification audio en boîtier TO-92 compact.

  • Type : Transistor Bipolaire PNP
  • Courant collecteur max : 800 mA
  • Tension VCEO max : -45 V
  • Boîtier : TO-92 traversant
  • Gain hFE : 100 à 630
  • Complémentaire : NPN BC337

Ce site utilise des cookies pour vous garantir la meilleure expérience sur notre site