Transistor MOSFET IRF540 Canal N 100V 33A TO-220

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

• Tension Drain-Source : 500 V
• Courant Drain : 20 A
• Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
• Boîtier : TO-247AC
• Dissipation : 280 W

Triac BT136 600V 4A polyvalent en boîtier TO-220 pour le contrôle précis de charges alternatives.

• Tension de blocage max : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 4 A
• Tension de gâchette : ≤ 1.5 V
• Boîtier standard : TO-220AB
• Application : Variateurs et moteurs

Transistor MOSFET Canal N IRLML2402 SOT-23 pour commutation logique efficace et compacte sous 20V 1.2A.

• Type : MOSFET Canal N (Logic Level)
• Tension Drain-Source : 20V
• Courant continu : 1.2A
• Résistance Rds(on) : 0.25Ω
• Boîtier : SOT-23 (SMD)

Triac BT138-600V 12A robuste pour commutation AC et contrôle de phase en boîtier TO-220.

• Tension répétitive de pointe : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Sensibilité gâchette (VGT) : 1.5 V max
• Courant de pointe non répétitif : 95 A
• Boîtier standard : TO-220AB

Ce transistor MOSFET BS170 Canal N offre une commutation rapide et efficace pour vos projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 60 V
• Courant de Drain : 500 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Compatibilité : Niveaux logiques TTL/CMOS

Explorez l'électromagnétisme avec ce kit éducatif DIY pour générer de la haute tension sans fil.

• Tension d'alimentation : 9V à 12V DC
• Transistor de puissance : BD243C inclus
• Transmission d'énergie sans fil (lampes néon)
• Arc électrique visible (5-10 mm)
• Dimensions PCB compactes : 40mm x 31mm

Thyristor SCR BT151-800R 12A 800V en boîtier TO-220 pour commutation de puissance et régulation moteur fiable.

• Tension de blocage max : 800 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Courant de surcharge (ITSM) : 120 A
• Courant de gâchette (IGT) : < 15 mA
• Boîtier : TO-220AB standard

Capteur de température analogique précis et linéaire pour vos projets électroniques et mesures thermiques fiables.

• Sortie linéaire : 10 mV par °C
• Précision de ±0,5°C à 25°C
• Boîtier standard TO-92 3 broches
• Alimentation large : 4V à 30V
• Compatible Arduino et Raspberry Pi

Transistor bipolaire NPN polyvalent à fort courant (800mA) pour l'amplification audio et le pilotage de charges.

• Type : Bipolaire NPN (Silicium)
• Courant Collecteur (Ic) : 800 mA
• Tension Vceo : 45 V
• Boîtier : TO-92 standard
• Gain (hFE) : 100 à 630

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Transistor bipolaire PNP BC557 polyvalent conçu pour l'amplification de signaux faibles et la commutation logique rapide.

• Type : Bipolaire PNP
• Tension Vceo : -45 V Max
• Courant Ic : -100 mA Max
• Boîtier : TO-92 Standard
• Gain (hFE) : 110 à 800

Triac BT137 8A 600V robuste pour le contrôle précis de charges AC et commutation de puissance.

• Courant efficace (IT RMS) : 8 A
• Tension de blocage : 600 V
• Boîtier standard TO-220AB
• Commutation bidirectionnelle
• Compatible microcontrôleurs

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor bipolaire PNP BC556 haute tension et faible bruit pour amplification audio et commutation précise.

• Type : Transistor Bipolaire PNP
• Tension Collecteur-Émetteur : -65 V
• Courant Collecteur : -100 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Application : Audio et Signal

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations