Transistor MOSFET IRF540 Canal N 100V 33A TO-220
Puissance et Précision avec le MOSFET IRF540N
Le Transistor MOSFET IRF540N est la solution incontournable pour vos projets électroniques nécessitant une commutation de puissance robuste. Utilisant la technologie de traitement avancée HEXFET , ce composant à Canal N offre une résistance à l'état passant extrêmement faible (Low Rds(on)), garantissant une efficacité énergétique maximale et une dissipation thermique maîtrisée.
Logé dans un boîtier TO-220AB standard industriel, il est parfaitement adapté aux montages traversants et s'intègre aisément sur des dissipateurs thermiques pour gérer des puissances allant jusqu'à 130 W . Que vous conceviez des contrôleurs de moteurs ou des convertisseurs d'énergie, l'IRF540N assure une fiabilité à toute épreuve.
Caractéristiques Techniques Clés
Haute Tension : Supporte une tension Drain-Source (Vdss) jusqu'à 100 V .Courant Fort : Capable de gérer un courant de drain continu de 33 A (à 25°C).Efficacité : Résistance interne (Rds(on)) de seulement 0,044 Ω (44 mΩ) pour limiter les pertes.Rapidité : Temps de montée de 35 ns pour une commutation ultra-rapide.Robustesse : Entièrement qualifié pour l'avalanche, résistant aux pics de tension imprévus.
Applications Principales
Grâce à sa polyvalence et sa robustesse, le IRF540N est idéal pour une vaste gamme d'applications :
Pilotage de moteurs CC (avec ou sans balais).
Alimentations à découpage (SMPS) et convertisseurs DC-DC (Buck/Boost).
Drivers de LED haute puissance.
Onduleurs solaires et systèmes de gestion de batterie (BMS).
Amplificateurs audio haute fidélité.
Tableau des Spécifications
Paramètre
Valeur
Type de Transistor
MOSFET Canal N
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Courant de Drain (Id) @ 25°C
33 A
Résistance Rds(on) @ 10V
0,044 Ω
Dissipation Totale (Pd)
130 W
Tension Grille-Source (Vgs)
± 20 V
Température de Jonction (Tj)
-55°C à +175°C
Boîtier
TO-220AB
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