Triac BTA16-600B 16A 600V TO-220

Transistor de puissance bipolaire NPN TIP41 en boîtier TO-220 pour applications de commutation et amplification audio.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Boîtier standard : TO-220
• Courant collecteur continu : 6 A
• Dissipation de puissance : 65 W
• Usage : Amplification et commutation

Explorez l'électromagnétisme avec ce kit éducatif DIY pour générer de la haute tension sans fil.

• Tension d'alimentation : 9V à 12V DC
• Transistor de puissance : BD243C inclus
• Transmission d'énergie sans fil (lampes néon)
• Arc électrique visible (5-10 mm)
• Dimensions PCB compactes : 40mm x 31mm

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Thyristor SCR BT151-800R 12A 800V en boîtier TO-220 pour commutation de puissance et régulation moteur fiable.

• Tension de blocage max : 800 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Courant de surcharge (ITSM) : 120 A
• Courant de gâchette (IGT) : < 15 mA
• Boîtier : TO-220AB standard

Transistor de puissance MOSFET IRFP450A Canal-N 500V 14A en boîtier TO-247 pour applications industrielles exigeantes.

• Type : MOSFET Canal-N HEXFET®
• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 14 A
• Résistance (Rds-on) : 0,40 Ω
• Dissipation (Pd) : 190 W
• Boîtier : TO-247AC (3 broches)

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Lot de 10 pads en silicone pour isoler électriquement et thermiquement vos composants TO-220 sans pâte thermique.

• Compatibilité : Boîtiers TO-220 standards
• Matériau : Silicone renforcé fibre de verre
• Isolation : Haute tension jusqu'à 12kV
• Température : Résiste de -45°C à +200°C
• Montage : Installation propre sans graisse

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Thermomètre numérique programmable DS18B20 haute précision pour vos projets Arduino et domotique via interface 1-Wire.

• Interface de communication unique 1-Wire
• Plage de mesure étendue de -55 °C à +125 °C
• Précision de ±0,5 °C entre -10 °C et +85 °C
• Résolution programmable de 9 à 12 bits
• Compatible alimentation 3V à 5,5V et mode parasite

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor IGBT K50H603 haute performance 600V 50A Infineon pour réparation onduleurs et soudure.

• Tension Collecteur-Émetteur Vce : 600 V
• Courant de Collecteur Ic : 50 A (100°C)
• Technologie : TRENCHSTOP™ 3ème génération
• Puissance dissipée Ptot : 333 W
• Boîtier : TO-247 robuste 3 broches

Ce transistor MOSFET BS170 Canal N offre une commutation rapide et efficace pour vos projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 60 V
• Courant de Drain : 500 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Compatibilité : Niveaux logiques TTL/CMOS

Capteur de température analogique précis et linéaire pour vos projets électroniques et mesures thermiques fiables.

• Sortie linéaire : 10 mV par °C
• Précision de ±0,5°C à 25°C
• Boîtier standard TO-92 3 broches
• Alimentation large : 4V à 30V
• Compatible Arduino et Raspberry Pi

Transistor bipolaire PNP BC327 haute puissance 800mA pour commutation et amplification audio en boîtier TO-92 compact.

• Type : Transistor Bipolaire PNP
• Courant collecteur max : 800 mA
• Tension VCEO max : -45 V
• Boîtier : TO-92 traversant
• Gain hFE : 100 à 630
• Complémentaire : NPN BC337

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

• Tension Drain-Source : 500 V
• Courant Drain : 20 A
• Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
• Boîtier : TO-247AC
• Dissipation : 280 W

Transistor bipolaire PNP BC557 polyvalent conçu pour l'amplification de signaux faibles et la commutation logique rapide.

• Type : Bipolaire PNP
• Tension Vceo : -45 V Max
• Courant Ic : -100 mA Max
• Boîtier : TO-92 Standard
• Gain (hFE) : 110 à 800