Transistor MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A TO-220

14,00 MAD
TTC

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

  • Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
  • Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
  • Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
  • Puissance dissipée : 125 W
  • Boîtier : TO-220AB
Quantité

Maîtrisez la Haute Tension avec le Transistor MOSFET IRF640

Vous cherchez à piloter des charges inductives gourmandes ou à concevoir une alimentation à découpage robuste ? Le IRF640 n'est pas qu'un simple composant ; c'est le "muscle" fiable dont votre circuit a besoin. Conçu pour gérer des tensions élevées allant jusqu'à 200 V avec une efficacité redoutable, ce MOSFET à canal N est la solution privilégiée des ingénieurs pour combiner commutation rapide et gestion thermique maîtrisée.

Performance de Commutation et Atouts du IRF640

  • Tenue en tension exceptionnelle : Capable de supporter une tension Drain-Source ($V_{DS}$) de 200 V, il est idéal pour les projets haute tension.
  • Courant robuste : Délivre un courant continu de 18 A (à 25°C), suffisant pour la plupart des moteurs DC et solénoïdes puissants.
  • Réactivité maximale : Avec un temps de montée de seulement 50 ns, il excelle dans les applications PWM à haute fréquence.
  • Faible résistance interne : Son $R_{DS(on)}$ typique de 0,15 Ω minimise les pertes d'énergie.
  • Format standard : Livré en boîtier TO-220, facilitant l'installation sur un dissipateur thermique.

Applications Pratiques

  • Contrôle de moteurs DC : Pilotez la vitesse de moteurs puissants via PWM.
  • Alimentations à découpage (SMPS) : Créez des convertisseurs DC-DC efficaces.
  • Commutation de relais : Activez des actionneurs industriels (12V, 24V, 48V+).
  • Onduleurs : Indispensable dans les convertisseurs DC-AC.

Fiche Technique Détaillée : IRF640

CaractéristiqueValeur / Spécification
Type de ComposantMOSFET Canal N (Enrichissement)
Tension Drain-Source ($V_{DS}$)200 V Max
Courant de Drain ($I_D$)18 A (25°C) / 13 A (100°C)
Courant Pulsé ($I_{DM}$)72 A
Résistance On ($R_{DS(on)}$)0,15 Ω typique
Tension de Grille ($V_{GS}$)±20 V
Tension Seuil ($V_{GS(th)}$)2.0 V à 4.0 V
Puissance Dissipée ($P_D$)125 W à 150 W
BoîtierTO-220AB

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FAQ : Dépannage et Utilisation

Q1: Peut-on piloter un IRF640 avec un Arduino (5V) ?
Non, pas efficacement. Il a besoin d'environ 10V sur la grille pour être saturé. Utilisez un driver de MOSFET.

Q2: Pourquoi mon MOSFET chauffe-t-il ?
La puissance dissipée génère de la chaleur. Un dissipateur thermique (heatsink) est obligatoire au-delà de quelques ampères.

Q3: Le MOSFET reste passant sans signal ?
C'est dû à la charge de grille. Ajoutez une résistance de pull-down (10 kΩ) entre Grille et Source.

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