Transistors & Mosfet

Transistor bipolaire PNP BC557 polyvalent conçu pour l'amplification de signaux faibles et la commutation logique rapide.

• Type : Bipolaire PNP
• Tension Vceo : -45 V Max
• Courant Ic : -100 mA Max
• Boîtier : TO-92 Standard
• Gain (hFE) : 110 à 800

Ce transistor MOSFET BS170 Canal N offre une commutation rapide et efficace pour vos projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 60 V
• Courant de Drain : 500 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Compatibilité : Niveaux logiques TTL/CMOS

Transistor NPN 2N2222 polyvalent 800mA 30V en boîtier TO-92 pour commutation et amplification de projets électroniques.

• Type : Bipolaire NPN (BJT)
• Courant continu (Ic) : 800 mA
• Tension Vceo : 30 V
• Gain (hFE) : 100 - 300
• Fréquence : 300 MHz
• Boîtier : TO-92

Thermomètre numérique programmable DS18B20 haute précision pour vos projets Arduino et domotique via interface 1-Wire.

• Interface de communication unique 1-Wire
• Plage de mesure étendue de -55 °C à +125 °C
• Précision de ±0,5 °C entre -10 °C et +85 °C
• Résolution programmable de 9 à 12 bits
• Compatible alimentation 3V à 5,5V et mode parasite

Lot de 10 pads en silicone pour isoler électriquement et thermiquement vos composants TO-220 sans pâte thermique.

• Compatibilité : Boîtiers TO-220 standards
• Matériau : Silicone renforcé fibre de verre
• Isolation : Haute tension jusqu'à 12kV
• Température : Résiste de -45°C à +200°C
• Montage : Installation propre sans graisse

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Triac BT138-600V 12A robuste pour commutation AC et contrôle de phase en boîtier TO-220.

• Tension répétitive de pointe : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Sensibilité gâchette (VGT) : 1.5 V max
• Courant de pointe non répétitif : 95 A
• Boîtier standard : TO-220AB

Transistor de puissance bipolaire NPN TIP41 en boîtier TO-220 pour applications de commutation et amplification audio.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Boîtier standard : TO-220
• Courant collecteur continu : 6 A
• Dissipation de puissance : 65 W
• Usage : Amplification et commutation

Transistor Darlington de puissance NPN 5A 60V en boîtier TO-220 pour le pilotage de charges inductives.

• Type : Darlington NPN avec diode interne
• Tension Vceo : 60V Max
• Courant Ic : 5A continu (8A pic)
• Gain hFE : Min 1000 (Typique 2500)
• Boîtier : TO-220 traversant

Transistor bipolaire PNP BC556 haute tension et faible bruit pour amplification audio et commutation précise.

• Type : Transistor Bipolaire PNP
• Tension Collecteur-Émetteur : -65 V
• Courant Collecteur : -100 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Application : Audio et Signal