Composants actifs

Transistor MOSFET 2N7002 SOT-23 compact pour commutation rapide et adaptation de niveaux logiques en électronique.

• Tension Drain-Source : 60V Max
• Courant de Drain : 300mA Continu
• Boîtier : SOT-23 (SMD)
• Vitesse : Temps de montée ~7ns
• Compatibilité : Logique 3.3V et 5V

Dissipateur thermique compact en aluminium pour refroidir efficacement vos composants TO-220 et régulateurs de tension.

• Format standard pour boîtier TO-220
• Dimensions compactes : 19 x 15 x 10 mm
• Matériau : Alliage d'aluminium haute conductivité
• Fixation facile par vis M3
• Idéal pour régulateurs série 78xx et MOSFETs

Microcontrôleur AVR 8 bits haute performance et basse consommation picoPower en boîtier TQFP44 pour vos projets embarqués.

• Cœur AVR RISC 8 bits jusqu'à 20 MHz
• 16 Ko Flash, 1 Ko SRAM, 512o EEPROM
• Consommation ultra-faible picoPower
• 32 lignes d'E/S programmables
• Interfaces SPI, I2C et 2x USART
• Boîtier TQFP44 pour montage CMS

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant de Drain : 49 A
• Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Circuit intégré CD4093 CMOS à quatre portes NAND Schmitt Trigger pour une immunité au bruit optimale.

• Type : Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger
• Boîtier : DIP-14 traversant
• Tension : 3 V à 15 V
• Hystérésis typique : 0,9 V (à 5 V)
• Famille : CMOS Série 4000

Diode de redressement 1N4004 1A 400V robuste pour la protection et l'alimentation de vos projets électroniques.

• Type : Diode de redressement silicium standard
• Tension max ($V_{RRM}$) : 400 V
• Courant direct ($I_F$) : 1,0 A
• Courant de surcharge : 30 A
• Boîtier : DO-41 (Plastique moulé)

Transistor de puissance MOSFET IRFP450A Canal-N 500V 14A en boîtier TO-247 pour applications industrielles exigeantes.

• Type : MOSFET Canal-N HEXFET®
• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 14 A
• Résistance (Rds-on) : 0,40 Ω
• Dissipation (Pd) : 190 W
• Boîtier : TO-247AC (3 broches)

Transistor MOSFET de puissance Canal P IRF4905 -55V 74A en boîtier TO-220 pour commutation efficace.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -55 V
• Courant continu : -74 A
• Résistance RDS(on) : 0.02 Ohm
• Boîtier : TO-220AB robuste
• Utilisation : Commutation High-Side

Triac de puissance BTA24 25A 600V/800V isolé en boîtier TO-220 pour commutation de charges AC exigeantes.

• Courant efficace (RMS) : 25 A
• Tension de blocage : 600 V / 800 V
• Type de boîtier : TO-220AB Isolé
• Courant de gâchette : 35-50 mA
• Usage : Contrôle moteur et chauffage

Triac BT137 8A 600V robuste pour le contrôle précis de charges AC et commutation de puissance.

• Courant efficace (IT RMS) : 8 A
• Tension de blocage : 600 V
• Boîtier standard TO-220AB
• Commutation bidirectionnelle
• Compatible microcontrôleurs

Diode Germanium 1N34A authentique en boîtier DO-7 pour la détection radio et les effets audio vintage.

• Type : Diode à pointe Germanium
• Boîtier : DO-7 verre hermétique
• Tension de seuil : 0,2 V - 0,3 V
• Tension inverse (PIV) : 65 V
• Application : Radio, TV et Audio

Transistor Darlington NPN puissant pour piloter moteurs et relais via Arduino avec un courant élevé.

• Type : NPN Darlington (Gain >1000)
• Tension (VCEO) : 100V Max
• Courant (IC) : 5A continu / 8A pic
• Boîtier : TO-220 dissipable
• Diode de roue libre intégrée

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

• Tension Drain-Source : 500 V
• Courant Drain : 20 A
• Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
• Boîtier : TO-247AC
• Dissipation : 280 W

Transformez vos puces CMS SOIC8 en format DIP8 pour une programmation rapide, fiable et sans soudure.

• Compatibilité : SOIC8 / SOP8 (150 à 209 mil).
• Conversion : Pas de 1,27 mm vers 2,54 mm.
• Connectique : Socket ZIF plaqué Or/Nickel.
• Durabilité : Jusqu'à 10 000 cycles d'insertion.
• Usage : Idéal pour CH341A, TL866, RT809F.