Composants actifs

Diode de redressement M7 CMS standard 1A 1000V, équivalente à 1N4007, format SMA compact pour circuits imprimés.

• Type : Diode M7 (Équivalent 1N4007 CMS)
• Tension Max : 1000V ($V_{RRM}$)
• Courant Direct : 1.0 Ampère
• Boîtier : SMA / DO-214AC
• Utilisation : Redressement AC/DC et protection

Diode de redressement M1 1N4001 SMD 1A 50V polyvalente pour applications générales et protection de circuits.

• Courant redressé moyen : 1,0 A
• Tension inverse de crête : 50 V
• Boîtier : SMA (DO-214AC) compact
• Montage : Surface (SMD/SMT)
• Protection contre l'inversion de polarité

Pont redresseur compact MB6S 0.5A 600V SMD pour une conversion AC/DC fiable et efficace.

• Tension inverse de crête répétitive : 600 V
• Courant redressé moyen : 0.5 A
• Boîtier miniature SOP-4 pour gain d'espace
• Montage en surface (SMD) facile
• Idéal pour alimentations et éclairage LED

Lot de 10 pads en silicone pour isoler électriquement et thermiquement vos composants TO-220 sans pâte thermique.

• Compatibilité : Boîtiers TO-220 standards
• Matériau : Silicone renforcé fibre de verre
• Isolation : Haute tension jusqu'à 12kV
• Température : Résiste de -45°C à +200°C
• Montage : Installation propre sans graisse

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Diode HER508 5A 1000V ultra-rapide et haute efficacité, idéale pour la réparation d'alimentations à découpage.

• Tension inverse max : 1000 V
• Courant direct moyen : 5 A
• Temps de recouvrement : 75 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)
• Surcharge max : 150 A

Diode de redressement ultra-rapide HER208 2A 1000V pour applications de commutation haute fréquence efficaces et fiables.

• Tension inverse max (VRRM) : 1000V
• Courant direct moyen : 2.0A
• Vitesse de recouvrement : 75ns
• Courant de surcharge (IFSM) : 60A
• Boîtier : DO-15 standard axial

Diode de redressement à recouvrement rapide FR307 3A 1000V pour circuits haute fréquence et alimentations performantes.

• Type : Diode Fast Recovery (Rapide)
• Tension inverse max (VRRM) : 1000 V
• Courant direct (IF) : 3 A
• Temps de recouvrement : 500 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Triac BT138-600V 12A robuste pour commutation AC et contrôle de phase en boîtier TO-220.

• Tension répétitive de pointe : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Sensibilité gâchette (VGT) : 1.5 V max
• Courant de pointe non répétitif : 95 A
• Boîtier standard : TO-220AB

Transistor de puissance bipolaire NPN TIP41 en boîtier TO-220 pour applications de commutation et amplification audio.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Boîtier standard : TO-220
• Courant collecteur continu : 6 A
• Dissipation de puissance : 65 W
• Usage : Amplification et commutation