Composants actifs

Circuit intégré CD4066, commutateur quadruple bilatéral CMOS DIP-14 pour routage précis de signaux analogiques et numériques.

• Type : Quadruple interrupteur bilatéral
• Alimentation : 3 V à 18 V
• Bande passante : 40 MHz (Typique)
• Faible résistance ON : 80 Ω typique
• Boîtier : DIP-14 traversant

Étendez les capacités I/O de vos microcontrôleurs avec ce registre à décalage 8 bits haute vitesse et performant.

• Type : Registre à décalage 8 bits (SIPO)
• Boîtier : DIP-14 standard traversant
• Tension : 2.0 V à 6.0 V
• Fréquence : 25 MHz (max 48 MHz)
• Compatibilité : TTL et CMOS

Décodeur et démultiplexeur logique CMOS haute vitesse transformant 3 entrées en 8 sorties actives basses.

• Fonction : Décodeur 3 vers 8 lignes
• Tension d'alimentation : 2.0 V à 6.0 V
• Boîtier : DIP-16 Traversant
• Sorties : Actives à l'état bas
• Compatibilité : TTL et CMOS

Ce circuit intégré 74HC04 comporte six portes logiques inverseurs indépendantes en technologie CMOS haute performance et boîtier DIP-14.

• Type : Inverseur Hexagonal (6 portes NOT)
• Technologie : CMOS à grille silicium
• Tension d'alimentation : 2.0 V à 6.0 V
• Boîtier : DIP-14 standard (Traversant)
• Courant de repos : Faible consommation (20 µA max)

Sextuple inverseur à trigger de Schmitt haute vitesse pour stabiliser et nettoyer les signaux logiques.

• Plage de tension : 2.0 V à 6.0 V
• Structure : 6 inverseurs indépendants
• Technologie : CMOS Haute Vitesse
• Hystérésis : Immunité au bruit élevée
• Boîtier : DIP-14 standard

Étendez facilement les entrées numériques de votre microcontrôleur avec ce registre à décalage PISO 8 bits fiable.

• Type : Registre à décalage 8 bits PISO
• Boîtier : DIP-16 standard
• Tension : 2.0 V à 6.0 V
• Technologie : CMOS haute vitesse
• Usage : Extension d'entrées Arduino

Convertisseur de tension CMOS ICL7660 DIP-8 idéal pour inverser ou doubler la tension d'alimentation efficacement.

• Tension d'entrée : 1,5 V à 10,0 V
• Courant de sortie : 10 mA à 40 mA
• Efficacité de conversion : 98 %
• Fréquence d'oscillation : 10 kHz
• Boîtier : DIP-8 plastique

Convertisseur de tension CMOS ICL7660 SOP-8 compact pour inverser ou doubler efficacement vos alimentations électroniques.

• Inverseur de tension positif vers négatif
• Technologie pompe de charge sans inductance
• Plage de tension entrée 1.5V à 10V
• Efficacité de conversion de puissance 98%
• Boîtier SOP-8 montage surface compact

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Amplificateur opérationnel LF357 JFET haute vitesse à large bande passante pour circuits électroniques performants.

• Vitesse de balayage (Slew Rate) : 50 V/µs
• Produit Gain-Bande : 20 MHz
• Haute impédance d'entrée : 10¹² Ω
• Type : Décompensé (Gain stable ≥ 5)
• Format du boîtier : DIP-8

Le module ESP8266 ESP-12E est un microcontrôleur WiFi puissant idéal pour connecter vos projets IoT et domotique.

• Processeur Tensilica L106 32-bit à 80 MHz
• Mémoire Flash 4 Mo intégrée
• Support WiFi 802.11 b/g/n 2.4 GHz
• Tension de fonctionnement 3.3V
• Antenne PCB intégrée optimisée

Circuit intégré CMOS monolithique CD4007 à trois paires de transistors complémentaires pour conception logique et analogique.

• Type de boîtier : DIP-14
• Tension d'alimentation : 3 V à 15 V
• Technologie : CMOS (Canaux N et P)
• Impédance d'entrée : Élevée (10¹² Ω)
• Temps de propagation : 35 ns typique

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm