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Optocoupleur 4N35 DIP-6 haute performance pour une isolation galvanique fiable et la protection de circuits électroniques.

• Tension d'isolation : 5 300 Vrms min
• Sortie : Phototransistor NPN 30V
• Compatibilité : TTL, LSTTL, CMOS
• Temps de réponse typique : 3 µs
• Type de boîtier : DIP-6 traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Régulateur de tension linéaire LDO LM1117 3.3V 800mA en boîtier TO-220 pour une alimentation fiable.

• Tension de sortie : 3.3 V fixe (±1%)
• Courant de sortie max : 800 mA
• Boîtier : TO-220 (dissipation thermique optimale)
• Faible chute de tension (Dropout) : 1.2 V
• Protection thermique et limitation de courant

Module télémètre infrarouge Sharp précis de 10 à 80 cm, idéal pour la détection d'obstacles robotique.

• Plage de mesure : 10 cm à 80 cm
• Interface : Tension analogique ratiométrique
• Alimentation : 4.5 V à 5.5 V DC
• Technologie : Triangulation optique PSD
• Inclus : Câble avec connecteur JST

Capteur de distance infrarouge analogique précis mesurant de 20 à 150 cm pour vos projets robotiques avancés.

• Plage de détection : 20 cm à 150 cm
• Technologie : Triangulation optique (PSD)
• Tension de fonctionnement : 4.5V à 5.5V
• Sortie : Analogique (compatible Arduino)
• Dimensions compactes : 29.5 × 13.0 mm

Régulateur de tension linéaire ajustable LM317L en boîtier TO-92, compact et précis pour vos montages électroniques.

• Tension sortie : 1,2 V à 37 V
• Courant max : 100 mA
• Boîtier : TO-92 (3 broches)
• Protection thermique intégrée
• Type : Linéaire positif ajustable

Assurez une isolation galvanique totale 5000V pour vos projets électroniques avec cet optocoupleur fiable et robuste.

• Tension d'isolation : 5 000 Vrms
• Tension collecteur-émetteur : 80 V
• Format standard : DIP-4 traversant
• Courant de collecteur : 50 mA
• Protection idéale pour microcontrôleurs

Régulateur de tension ajustable LM317 performant en boîtier TO-220 pour vos projets d'alimentations variables précises.

• Tension de sortie ajustable : 1,2 V à 37 V
• Courant de sortie max : 1,5 A
• Protection thermique et contre les courts-circuits
• Boîtier TO-220 robuste à 3 broches
• Régulation de charge précise à 0,1 %

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant de Drain : 49 A
• Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor MOSFET de puissance Canal P IRF4905 -55V 74A en boîtier TO-220 pour commutation efficace.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -55 V
• Courant continu : -74 A
• Résistance RDS(on) : 0.02 Ohm
• Boîtier : TO-220AB robuste
• Utilisation : Commutation High-Side

Mini ordinateur monocarte open-source Orange Pi Zero avec processeur Quad-Core, 512 Mo de RAM et connectivité WiFi intégrée.

• Processeur Allwinner H2+ Quad-core Cortex-A7 1.2GHz
• Mémoire vive 512 Mo DDR3 SDRAM partagée
• Connectivité WiFi XR819 et Ethernet 10/100M
• Stockage via Micro SD et Flash SPI 2 Mo
• Dimensions ultra-compactes 48 x 46 mm

Carte de développement performante Allwinner H6 64-bits avec Ethernet Gigabit et décodage vidéo 6K pour vos projets IoT.

• Processeur Allwinner H6 Quad-core Cortex-A53
• 1 Go de RAM LPDDR3 partagée
• Ethernet Gigabit 10/100/1000M
• Sortie HDMI 2.0a 4K@60fps et 6K
• GPU Mali T720 multi-cœurs

Une carte de développement puissante avec 8Go eMMC et WiFi intégré pour vos projets connectés et multimédias.

• CPU Allwinner H3 Quad-Core 1.6GHz
• 1 Go RAM DDR3 & 8 Go eMMC Flash
• WiFi Realtek RTL8189FTV intégré
• Sortie HDMI 4K & Port Caméra CSI
• Connecteur 40 broches compatible RPi

Module d'isolation optique 4 canaux PC817 pour la protection des circuits et la conversion de niveaux de tension.

• Isolation galvanique : 5000 Vrms (Puce PC817)
• Tension d'entrée : 3,6 V à 24 V DC
• Tension de sortie : 3,6 V à 30 V DC
• Courant de sortie max : 50 mA
• Fréquence de commutation : < 4 kHz