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Optocoupleur 4N35 DIP-6 haute performance pour une isolation galvanique fiable et la protection de circuits électroniques.

• Tension d'isolation : 5 300 Vrms min
• Sortie : Phototransistor NPN 30V
• Compatibilité : TTL, LSTTL, CMOS
• Temps de réponse typique : 3 µs
• Type de boîtier : DIP-6 traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Régulateur de tension linéaire LDO LM1117 3.3V 800mA en boîtier TO-220 pour une alimentation fiable.

• Tension de sortie : 3.3 V fixe (±1%)
• Courant de sortie max : 800 mA
• Boîtier : TO-220 (dissipation thermique optimale)
• Faible chute de tension (Dropout) : 1.2 V
• Protection thermique et limitation de courant

Régulateur de tension linéaire ajustable LM317L en boîtier TO-92, compact et précis pour vos montages électroniques.

• Tension sortie : 1,2 V à 37 V
• Courant max : 100 mA
• Boîtier : TO-92 (3 broches)
• Protection thermique intégrée
• Type : Linéaire positif ajustable

Carte microcontrôleur performante RP2040 Dual-Core ARM Cortex M0+ idéale pour le prototypage rapide et l'intégration IoT.

• Processeur Dual-core ARM Cortex M0+ à 133 MHz
• 264 Ko de SRAM et 2 Mo de mémoire Flash QSPI
• 26 broches GPIO multifonctions (Logique 3.3V)
• Supporte MicroPython et C/C++ SDK
• Programmation facile via USB (Drag-and-drop)

Régulateur de tension ajustable LM317 performant en boîtier TO-220 pour vos projets d'alimentations variables précises.

• Tension de sortie ajustable : 1,2 V à 37 V
• Courant de sortie max : 1,5 A
• Protection thermique et contre les courts-circuits
• Boîtier TO-220 robuste à 3 broches
• Régulation de charge précise à 0,1 %

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant de Drain : 49 A
• Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor MOSFET de puissance Canal P IRF4905 -55V 74A en boîtier TO-220 pour commutation efficace.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -55 V
• Courant continu : -74 A
• Résistance RDS(on) : 0.02 Ohm
• Boîtier : TO-220AB robuste
• Utilisation : Commutation High-Side

Le nano-ordinateur ultime avec 1 Go de RAM, support 4K et connectivité ultra-rapide pour vos projets.

• Processeur Broadcom BCM2711 Quad-core 1.5 GHz
• 1 Go de RAM LPDDR4 pour multitâche fluide
• Double sortie Micro-HDMI supportant la 4K
• WiFi Dual Band et Bluetooth 5.0 intégrés
• 2 ports USB 3.0 pour transferts rapides
• Port Gigabit Ethernet à débit réel

Le nano-ordinateur ultime pour la domotique et le multimédia avec 4 Go de RAM et affichage 4K.

• Processeur Broadcom Quad-core 1,5 GHz performant
• 4 Go de RAM LPDDR4 pour un multitâche fluide
• Double sortie vidéo Micro-HDMI compatible 4K 60fps
• Connexion sans fil WiFi Dual-Band et Bluetooth 5.0
• Ethernet Gigabit et 2 ports USB 3.0 rapides

Décuplez vos performances avec ce nano-ordinateur puissant, compatible 4K et doté d'une connectivité complète.

• Processeur Broadcom Quad-Core 1.5GHz
• 2 Go de RAM LPDDR4
• WiFi Dual Band & Bluetooth 5.0
• Double sortie Micro-HDMI 4K
• Ports USB 3.0 & Gigabit Ethernet