Composants actifs

Obtenez une tension stable de 9V pour vos circuits électroniques grâce à ce régulateur fiable et performant.

• Tension de sortie : +9V DC fixe
• Courant de sortie max : 1.5A
• Tension d'entrée : 11V à 35V DC
• Boîtier : TO-220 dissipable
• Protection : Thermique et court-circuit

Régulateur linéaire LDO ajustable SOT-223, délivrant jusqu'à 1A pour une alimentation précise de vos projets électroniques.

• Tension de sortie : Ajustable (1,25 V à 13,8 V)
• Courant de sortie max : 1 A
• Boîtier : SOT-223 (Montage surface)
• Protection : Thermique et limitation de courant
• Tension de décrochage (Dropout) : 1,1 V

Régulateur de tension positive 24V 1.5A en boîtier TO-220 pour une alimentation stable et fiable.

• Tension de sortie : 24 V DC fixe
• Courant de sortie max : 1,5 A
• Tension d'entrée max : 40 V
• Boîtier : TO-220 standard
• Protection thermique et court-circuit

Régulateur de tension positive linéaire 8V LM7808 en boîtier TO-220 pour une alimentation stable et fiable.

• Tension de sortie fixe : 8V DC
• Courant de sortie maximal : 1,5 A
• Tension d'entrée : 10,5V à 35V DC
• Protection contre les surcharges thermiques
• Boîtier TO-220 standard robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Le module ESP8266 ESP-12E est un microcontrôleur WiFi puissant idéal pour connecter vos projets IoT et domotique.

• Processeur Tensilica L106 32-bit à 80 MHz
• Mémoire Flash 4 Mo intégrée
• Support WiFi 802.11 b/g/n 2.4 GHz
• Tension de fonctionnement 3.3V
• Antenne PCB intégrée optimisée

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Régulateur de tension linéaire LDO LM1117 3.3V 800mA en boîtier TO-220 pour une alimentation fiable.

• Tension de sortie : 3.3 V fixe (±1%)
• Courant de sortie max : 800 mA
• Boîtier : TO-220 (dissipation thermique optimale)
• Faible chute de tension (Dropout) : 1.2 V
• Protection thermique et limitation de courant

Régulateur de tension à découpage efficace pour abaisser des tensions élevées avec précision et stabilité maximale.

• Tension d'entrée : 4,5 V à 40 V
• Tension de sortie : 1,2 V à 37 V
• Courant de sortie max : 3 A
• Fréquence de découpage : 150 kHz
• Topologie : Buck (Step-Down)

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Diode HER508 5A 1000V ultra-rapide et haute efficacité, idéale pour la réparation d'alimentations à découpage.

• Tension inverse max : 1000 V
• Courant direct moyen : 5 A
• Temps de recouvrement : 75 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)
• Surcharge max : 150 A

Diode de redressement ultra-rapide HER208 2A 1000V pour applications de commutation haute fréquence efficaces et fiables.

• Tension inverse max (VRRM) : 1000V
• Courant direct moyen : 2.0A
• Vitesse de recouvrement : 75ns
• Courant de surcharge (IFSM) : 60A
• Boîtier : DO-15 standard axial

Diode de redressement à recouvrement rapide FR307 3A 1000V pour circuits haute fréquence et alimentations performantes.

• Type : Diode Fast Recovery (Rapide)
• Tension inverse max (VRRM) : 1000 V
• Courant direct (IF) : 3 A
• Temps de recouvrement : 500 ns
• Boîtier : DO-27 (DO-201AD)