Composants actifs

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor bipolaire NPN BC548 polyvalent, idéal pour l'amplification de signaux et la commutation électronique précise.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Collecteur-Émetteur : 30V
• Courant Collecteur : 100mA
• Gain DC (hFE) : 110 à 800
• Boîtier : TO-92 standard
• Usage : Audio et Logique

Amplificateur opérationnel LF357 JFET haute vitesse à large bande passante pour circuits électroniques performants.

• Vitesse de balayage (Slew Rate) : 50 V/µs
• Produit Gain-Bande : 20 MHz
• Haute impédance d'entrée : 10¹² Ω
• Type : Décompensé (Gain stable ≥ 5)
• Format du boîtier : DIP-8

Circuit intégré CMOS monolithique CD4007 à trois paires de transistors complémentaires pour conception logique et analogique.

• Type de boîtier : DIP-14
• Tension d'alimentation : 3 V à 15 V
• Technologie : CMOS (Canaux N et P)
• Impédance d'entrée : Élevée (10¹² Ω)
• Temps de propagation : 35 ns typique

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant Drain : 110 A
• Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Mémoire EEPROM série 16 Kbits fiable avec interface I2C pour le stockage de données non volatiles.

• Capacité de 16 Kb (2K x 8)
• Interface série I2C 2 fils
• Boîtier DIP-8 standard
• Tension large 1.8V à 5.5V
• Endurance de 1 million de cycles

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Mémoire EEPROM série AT24C256 256 Kbits I2C fiable pour stockage de données non-volatiles sur Arduino.

• Capacité : 256 Kbits (32 Ko)
• Interface : Série I2C (2-Wire)
• Tension : 1,7 V à 5,5 V
• Boîtier : DIP-8 standard
• Endurance : 1M cycles écriture

Triac BT138-600V 12A robuste pour commutation AC et contrôle de phase en boîtier TO-220.

• Tension répétitive de pointe : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Sensibilité gâchette (VGT) : 1.5 V max
• Courant de pointe non répétitif : 95 A
• Boîtier standard : TO-220AB

Amplificateur opérationnel JFET haute vitesse à faible bruit pour applications audio et instrumentation en boîtier DIP-8 standard.

• Entrées JFET à haute impédance (1 TΩ)
• Vitesse de balayage élevée (13 V/µs)
• Faible distorsion harmonique (0,003 %)
• Large bande passante jusqu'à 4 MHz
• Brochage standard DIP-8 compatible LM741

Registre 4 bits type D CMOS CD4076 avec sorties trois états pour gestion efficace des bus de données.

• Famille : CMOS Série 4000B
• Tension : 3V à 18V DC
• Sorties : Tri-state (Haute Impédance)
• Fréquence : Jusqu'à 16 MHz
• Boîtier : DIP-16 (Standard)

Porte logique CMOS CD4078 à 8 entrées avec sorties complémentaires NOR et OR en boîtier DIP-14 robuste.

• Type : Porte NOR / OR à 8 entrées
• Technologie : CMOS Série 4000
• Tension : 3 V à 18 V DC
• Boîtier : DIP-14 Traversant
• Sorties : Complémentaires (Broches 1 et 13)

Circuit intégré CMOS SCL4077 comportant quatre portes logiques XNOR indépendantes pour la comparaison fiable de signaux numériques.

• Logique : Quadruple porte XNOR (OU-Exclusif inversé)
• Boîtier : DIP-14 standard traversant
• Tension d'alimentation : Large plage de 3V à 15V
• Technologie : CMOS série 4000B faible consommation
• Application : Comparateurs d'égalité et parité

Module d'extension 16 canaux bidirectionnel CD74HC4067 pour multiplier les entrées/sorties analogiques et numériques de votre microcontrôleur.

• Puce : CD74HC4067 (CMOS haute vitesse)
• Canaux : 16 entrées/sorties bidirectionnelles
• Tension d'alimentation : 2V à 6V DC
• Résistance à l'état passant : 70 Ω
• Compatibilité : Signaux analogiques et numériques

Ajoutez 32 Ko de stockage fiable à vos projets Arduino avec ce module mémoire EEPROM I2C performant.

• Puce AT24C256 de 256 Kbits (32 Ko)
• Interface I2C avec adresse configurable
• Tension d'alimentation : 1,7 V à 5,5 V
• Durée de vie : 1 million de cycles
• Rétention des données sur 100 ans