Module DS18B20 capteur de température

Transistor Darlington NPN puissant pour piloter moteurs et relais via Arduino avec un courant élevé.

• Type : NPN Darlington (Gain >1000)
• Tension (VCEO) : 100V Max
• Courant (IC) : 5A continu / 8A pic
• Boîtier : TO-220 dissipable
• Diode de roue libre intégrée

Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 100 V
• Courant Drain continu : 33 A
• Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
• Boîtier : TO-220AB robuste

Ce transistor MOSFET BS170 Canal N offre une commutation rapide et efficace pour vos projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
• Tension Drain-Source : 60 V
• Courant de Drain : 500 mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Compatibilité : Niveaux logiques TTL/CMOS

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Triac de puissance BTA24 25A 600V/800V isolé en boîtier TO-220 pour commutation de charges AC exigeantes.

• Courant efficace (RMS) : 25 A
• Tension de blocage : 600 V / 800 V
• Type de boîtier : TO-220AB Isolé
• Courant de gâchette : 35-50 mA
• Usage : Contrôle moteur et chauffage

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Dissipateur thermique compact en aluminium pour refroidir efficacement vos composants TO-220 et régulateurs de tension.

• Format standard pour boîtier TO-220
• Dimensions compactes : 19 x 15 x 10 mm
• Matériau : Alliage d'aluminium haute conductivité
• Fixation facile par vis M3
• Idéal pour régulateurs série 78xx et MOSFETs

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

• Tension Drain-Source : 500 V
• Courant Drain : 20 A
• Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
• Boîtier : TO-247AC
• Dissipation : 280 W

Lot de 10 pads en silicone pour isoler électriquement et thermiquement vos composants TO-220 sans pâte thermique.

• Compatibilité : Boîtiers TO-220 standards
• Matériau : Silicone renforcé fibre de verre
• Isolation : Haute tension jusqu'à 12kV
• Température : Résiste de -45°C à +200°C
• Montage : Installation propre sans graisse

Capteur de température analogique précis et linéaire pour vos projets électroniques et mesures thermiques fiables.

• Sortie linéaire : 10 mV par °C
• Précision de ±0,5°C à 25°C
• Boîtier standard TO-92 3 broches
• Alimentation large : 4V à 30V
• Compatible Arduino et Raspberry Pi

Transistor bipolaire NPN polyvalent à fort courant (800mA) pour l'amplification audio et le pilotage de charges.

• Type : Bipolaire NPN (Silicium)
• Courant Collecteur (Ic) : 800 mA
• Tension Vceo : 45 V
• Boîtier : TO-92 standard
• Gain (hFE) : 100 à 630

Triac robuste 16A 600V en boîtier TO-220 isolé pour la commutation performante de charges inductives et résistives.

• Courant efficace (RMS) : 16 A
• Tension max : 600 V
• Technologie : Snubberless (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220AB Isolé 2500V
• Courant de gâchette : 50 mA

Transistor NPN 2N2222 polyvalent 800mA 30V en boîtier TO-92 pour commutation et amplification de projets électroniques.

• Type : Bipolaire NPN (BJT)
• Courant continu (Ic) : 800 mA
• Tension Vceo : 30 V
• Gain (hFE) : 100 - 300
• Fréquence : 300 MHz
• Boîtier : TO-92

Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.

• Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
• Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
• Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
• Technologie : HEXFET rapide et robuste
• Boîtier : TO-220AB standard à monter

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor IGBT K50H603 haute performance 600V 50A Infineon pour réparation onduleurs et soudure.

• Tension Collecteur-Émetteur Vce : 600 V
• Courant de Collecteur Ic : 50 A (100°C)
• Technologie : TRENCHSTOP™ 3ème génération
• Puissance dissipée Ptot : 333 W
• Boîtier : TO-247 robuste 3 broches