Module DS18B20 capteur de température

Lot de 10 isolants thermiques en silicone pour composants TO-220, assurant protection électrique et dissipation efficace.

• Dimensions standard : 19 x 14 mm
• Isolation électrique : 4 kV à 6 kV
• Conductivité thermique : 1,0 à 1,5 W/m.K
• Matériau : Silicone souple et durable
• Installation : Propre et sans pâte

Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.

• Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
• Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
• Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
• Puissance dissipée : 125 W
• Boîtier : TO-220AB

Transistor Darlington NPN puissant pour piloter moteurs et relais via Arduino avec un courant élevé.

• Type : NPN Darlington (Gain >1000)
• Tension (VCEO) : 100V Max
• Courant (IC) : 5A continu / 8A pic
• Boîtier : TO-220 dissipable
• Diode de roue libre intégrée

Dissipateur thermique compact en aluminium pour refroidir efficacement vos composants TO-220 et régulateurs de tension.

• Format standard pour boîtier TO-220
• Dimensions compactes : 19 x 15 x 10 mm
• Matériau : Alliage d'aluminium haute conductivité
• Fixation facile par vis M3
• Idéal pour régulateurs série 78xx et MOSFETs

Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
• Courant de Drain (Id) : 8 A
• Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
• Temps de réponse : 23 ns
• Boîtier : TO-220AB traversant

Transistor bipolaire NPN polyvalent à fort courant (800mA) pour l'amplification audio et le pilotage de charges.

• Type : Bipolaire NPN (Silicium)
• Courant Collecteur (Ic) : 800 mA
• Tension Vceo : 45 V
• Boîtier : TO-92 standard
• Gain (hFE) : 100 à 630

Thyristor SCR BT151-800R 12A 800V en boîtier TO-220 pour commutation de puissance et régulation moteur fiable.

• Tension de blocage max : 800 V
• Courant efficace (RMS) : 12 A
• Courant de surcharge (ITSM) : 120 A
• Courant de gâchette (IGT) : < 15 mA
• Boîtier : TO-220AB standard

Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.

• Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
• Courant de Drain continu : 10A
• Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
• Boîtier : TO-220AB traversant
• Idéal pour onduleurs et alimentations

Triac de puissance 16A 800V fiable et robuste pour piloter vos charges inductives et résistives en toute sécurité.

• Courant nominal : 16A RMS
• Tension max : 800V (Haute immunité)
• Boîtier : TO-220 standard
• Déclenchement gâchette : 1.5V max
• Surcharge max : 155A (20ms)

Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.

• Type : MOSFET Canal P HEXFET
• Tension Drain-Source : -100 V
• Courant continu : -14 A
• Boîtier : TO-220 robuste
• Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm

Triac BT136 600V 4A polyvalent en boîtier TO-220 pour le contrôle précis de charges alternatives.

• Tension de blocage max : 600 V
• Courant efficace (RMS) : 4 A
• Tension de gâchette : ≤ 1.5 V
• Boîtier standard : TO-220AB
• Application : Variateurs et moteurs

Transistor NPN BC546 haute tension 65V TO-92, idéal pour amplification audio et commutation de précision.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Tension Max (VCEO) : 65V
• Courant Max (IC) : 100mA
• Boîtier : TO-92 compact
• Caractéristique : Faible Bruit

Explorez l'électromagnétisme avec ce kit éducatif DIY pour générer de la haute tension sans fil.

• Tension d'alimentation : 9V à 12V DC
• Transistor de puissance : BD243C inclus
• Transmission d'énergie sans fil (lampes néon)
• Arc électrique visible (5-10 mm)
• Dimensions PCB compactes : 40mm x 31mm

MOSFET de puissance N-Canal 500V 20A en boîtier TO-247 pour commutation rapide et haute efficacité énergétique.

• Tension Drain-Source : 500 V
• Courant Drain : 20 A
• Résistance RDS(on) : 0.27 Ω
• Boîtier : TO-247AC
• Dissipation : 280 W

Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.

• Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
• Tension Drain-Source : 55 V
• Courant de Drain : 49 A
• Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
• Boîtier : TO-220AB

Transistor de puissance bipolaire NPN TIP41 en boîtier TO-220 pour applications de commutation et amplification audio.

• Type : Transistor Bipolaire NPN
• Boîtier standard : TO-220
• Courant collecteur continu : 6 A
• Dissipation de puissance : 65 W
• Usage : Amplification et commutation