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kingston
14,00 MAD
Disponibilité:
15 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant Drain : 110 A
- Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
3 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.
- Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
- Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
- Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
- Technologie : HEXFET rapide et robuste
- Boîtier : TO-220AB standard à monter
14,00 MAD
Disponibilité:
67 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
- Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
- Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
- Puissance dissipée : 125 W
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
24 En stock
Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
- Courant de Drain (Id) : 8 A
- Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
- Temps de réponse : 23 ns
- Boîtier : TO-220AB traversant
14,00 MAD
Disponibilité:
17 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
- Courant de Drain continu : 10A
- Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
- Boîtier : TO-220AB traversant
- Idéal pour onduleurs et alimentations
14,00 MAD
Disponibilité:
50 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.
- Type : MOSFET Canal P HEXFET
- Tension Drain-Source : -100 V
- Courant continu : -14 A
- Boîtier : TO-220 robuste
- Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm
14,00 MAD
Disponibilité:
2 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.
- Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
- Tension Drain-Source : 100 V
- Courant Drain continu : 33 A
- Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
- Boîtier : TO-220AB robuste
145,00 MAD
Disponibilité:
50 En stock
Optimisez votre stockage mobile avec la carte Kingston microSDHC 32Go, rapide, robuste et polyvalente pour tous vos appareils.
- Capacité : 32 Go (Format microSDHC)
- Vitesse : Lecture jusqu'à 100 Mo/s (UHS-I)
- Performance : Norme A1 pour applications Android
- Vidéo : Classe 10 et V10 pour Full HD
- Inclus : Adaptateur SD pour compatibilité étendue
8,00 MAD
Disponibilité:
37 En stock
Optocoupleur 4N35 DIP-6 haute performance pour une isolation galvanique fiable et la protection de circuits électroniques.
- Tension d'isolation : 5 300 Vrms min
- Sortie : Phototransistor NPN 30V
- Compatibilité : TTL, LSTTL, CMOS
- Temps de réponse typique : 3 µs
- Type de boîtier : DIP-6 traversant
70,00 MAD
Disponibilité:
1 En stock
Extension de mémoire 8Go fiable et robuste avec adaptateur SD, idéale pour vos projets multimédias et embarqués.
- Marque : Kingston (Original)
- Format : MicroSDHC avec adaptateur SD
- Vitesse : Classe 4 (4 Mo/s min)
- Résistance : Étanche IPX7 et antichoc
- Température : -25°C à 85°C
110,00 MAD
Disponibilité:
6 En stock
Étendez votre stockage avec cette carte MicroSDHC Kingston 16Go Classe 10 performante, fiable et livrée avec adaptateur SD.
- Capacité : 16 Go de stockage
- Vitesse : Classe 10, UHS-I (10 Mo/s min)
- Format : MicroSDHC avec adaptateur SD
- Tension : 3,3 V (Compatible Arduino/RPi)
- Résistance : Étanche IPX7 et antichoc
95,00 MAD
Disponibilité:
4 En stock
Solution de stockage fiable et robuste de 16 Go avec adaptateur SD pour vos projets électroniques et multimédias.
- Capacité : 16 Go (microSDHC)
- Vitesse : Classe 4 (Min. 4 Mo/s)
- Format : Inclus adaptateur SD complet
- Résistance : Étanche IPX7 et antichoc
- Tension : 3,3 V (Standard SD)
12,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant de Drain : 49 A
- Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
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