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14,00 MAD
Disponibilité:
15 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant Drain : 110 A
- Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
3 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.
- Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
- Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
- Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
- Technologie : HEXFET rapide et robuste
- Boîtier : TO-220AB standard à monter
14,00 MAD
Disponibilité:
67 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
- Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
- Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
- Puissance dissipée : 125 W
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
24 En stock
Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
- Courant de Drain (Id) : 8 A
- Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
- Temps de réponse : 23 ns
- Boîtier : TO-220AB traversant
14,00 MAD
Disponibilité:
17 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
- Courant de Drain continu : 10A
- Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
- Boîtier : TO-220AB traversant
- Idéal pour onduleurs et alimentations
14,00 MAD
Disponibilité:
50 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.
- Type : MOSFET Canal P HEXFET
- Tension Drain-Source : -100 V
- Courant continu : -14 A
- Boîtier : TO-220 robuste
- Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm
14,00 MAD
Disponibilité:
2 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.
- Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
- Tension Drain-Source : 100 V
- Courant Drain continu : 33 A
- Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
- Boîtier : TO-220AB robuste
8,00 MAD
Disponibilité:
37 En stock
Optocoupleur 4N35 DIP-6 haute performance pour une isolation galvanique fiable et la protection de circuits électroniques.
- Tension d'isolation : 5 300 Vrms min
- Sortie : Phototransistor NPN 30V
- Compatibilité : TTL, LSTTL, CMOS
- Temps de réponse typique : 3 µs
- Type de boîtier : DIP-6 traversant
180,00 MAD
Disponibilité:
4 En stock
Carte microcontrôleur performante RP2040 Dual-Core ARM Cortex M0+ idéale pour le prototypage rapide et l'intégration IoT.
- Processeur Dual-core ARM Cortex M0+ à 133 MHz
- 264 Ko de SRAM et 2 Mo de mémoire Flash QSPI
- 26 broches GPIO multifonctions (Logique 3.3V)
- Supporte MicroPython et C/C++ SDK
- Programmation facile via USB (Drag-and-drop)
12,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant de Drain : 49 A
- Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
1 050,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Le nano-ordinateur ultime pour la domotique et le multimédia avec 4 Go de RAM et affichage 4K.
- Processeur Broadcom Quad-core 1,5 GHz performant
- 4 Go de RAM LPDDR4 pour un multitâche fluide
- Double sortie vidéo Micro-HDMI compatible 4K 60fps
- Connexion sans fil WiFi Dual-Band et Bluetooth 5.0
- Ethernet Gigabit et 2 ports USB 3.0 rapides
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