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International Rectifier
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microchip
8,00 MAD
Disponibilité:
37 En stock
Optocoupleur 4N35 DIP-6 haute performance pour une isolation galvanique fiable et la protection de circuits électroniques.
- Tension d'isolation : 5 300 Vrms min
- Sortie : Phototransistor NPN 30V
- Compatibilité : TTL, LSTTL, CMOS
- Temps de réponse typique : 3 µs
- Type de boîtier : DIP-6 traversant
14,00 MAD
Disponibilité:
19 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF740 Canal N 400V 10A pour commutation rapide et applications haute tension.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 400V
- Courant de Drain continu : 10A
- Résistance à l'état passant : 0,55 Ohm
- Boîtier : TO-220AB traversant
- Idéal pour onduleurs et alimentations
14,00 MAD
Disponibilité:
24 En stock
Transistor MOSFET de puissance IRF840 500V 8A pour commutation rapide et applications haute tension robustes.
- Tension Drain-Source (Vdss) : 500 V
- Courant de Drain (Id) : 8 A
- Résistance (Rds-on) : 0,85 Ohm
- Temps de réponse : 23 ns
- Boîtier : TO-220AB traversant
14,00 MAD
Disponibilité:
67 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF640 Canal N 200V 18A, idéal pour commutation rapide et applications industrielles.
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : 200 V
- Courant de Drain ($I_D$) : 18 A
- Résistance ($R_{DS(on)}$) : 0,15 Ω
- Puissance dissipée : 125 W
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
16 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal N 55V 110A ultra-performant pour vos projets de haute commutation électrique.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant Drain : 110 A
- Résistance Rds(on) : 8.0 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
Disponibilité:
2 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A fiable pour la commutation rapide et efficace.
- Type : MOSFET Canal N (Enrichissement)
- Tension Drain-Source : 100 V
- Courant Drain continu : 33 A
- Résistance Rds(on) : 0,044 Ω
- Boîtier : TO-220AB robuste
14,00 MAD
Disponibilité:
3 En stock
Transistor de puissance MOSFET IRF9540 Canal P 100V 23A en boîtier TO-220 pour vos montages électroniques exigeants.
- Type : MOSFET de Puissance Canal P (P-Channel)
- Tension Drain-Source ($V_{DS}$) : -100 V Max
- Courant de Drain ($I_D$) : -23 A Continu
- Résistance interne ($R_{DS(on)}$) : 0,117 Ω
- Technologie : HEXFET rapide et robuste
- Boîtier : TO-220AB standard à monter
14,00 MAD
Disponibilité:
50 En stock
Transistor de puissance MOSFET Canal P IRF9530 100V 14A pour commutation efficace et projets électroniques.
- Type : MOSFET Canal P HEXFET
- Tension Drain-Source : -100 V
- Courant continu : -14 A
- Boîtier : TO-220 robuste
- Résistance Rds(on) : 0,30 Ohm
98,00 MAD
Disponibilité:
1 En stock
Expanseur de ports I/O 16 bits MCP23017 contrôlé par I2C pour multiplier vos entrées sorties Arduino.
- 16 broches GPIO bidirectionnelles configurables
- Interface I2C rapide jusqu'à 1,7 MHz
- Large tension de fonctionnement : 1.8V à 5.5V
- Adressage matériel pour 8 modules simultanés
- Courant de sortie de 25mA par broche
12,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Transistor MOSFET de puissance IRFZ44N 55V 49A performant pour vos projets de commutation et motorisation.
- Type : MOSFET Canal N (HEXFET)
- Tension Drain-Source : 55 V
- Courant de Drain : 49 A
- Résistance Rds(on) : 17,5 mΩ
- Boîtier : TO-220AB
14,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Transistor MOSFET de puissance Canal P IRF4905 -55V 74A en boîtier TO-220 pour commutation efficace.
- Type : MOSFET Canal P HEXFET
- Tension Drain-Source : -55 V
- Courant continu : -74 A
- Résistance RDS(on) : 0.02 Ohm
- Boîtier : TO-220AB robuste
- Utilisation : Commutation High-Side
100,00 MAD
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Disponibilité:
Rupture de stock
Contrôlez 16 entrées/sorties numériques supplémentaires avec seulement deux fils via l'interface I2C haute performance.
- Extension de 16 ports GPIO via bus I2C
- Tension de fonctionnement large 1.8V à 5.5V
- Courant de sortie 25 mA par broche
- Jusqu'à 8 composants adressables sur un bus
- Consommation ultra-faible de 1 µA en veille
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