Diode Zener 1/2W 0.5w 11V
Diode Zener 1/2W 0.5w 11V d'une puissance de 1/2W pour usage général.
CARACTÉRISTIQUES :
- Type : Zéner
- Tension : 11V
- Puissance : 1/2W
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- Technologie : Silicium épitaxial planaire
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- Tension inverse max : 1000 V
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- Boîtier : GBJ passivé verre
- Température : -65°C à +150°C
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Diode de redressement M1 1N4001 SMD 1A 50V polyvalente pour applications générales et protection de circuits.
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- Tension inverse de crête : 50 V
- Boîtier : SMA (DO-214AC) compact
- Montage : Surface (SMD/SMT)
- Protection contre l'inversion de polarité
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Diode de redressement à recouvrement rapide FR307 3A 1000V pour circuits haute fréquence et alimentations performantes.
- Type : Diode Fast Recovery (Rapide)
- Tension inverse max (VRRM) : 1000 V
- Courant direct (IF) : 3 A
- Temps de recouvrement : 500 ns
- Boîtier : DO-27 (DO-201AD)
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Diode à barrière Schottky 1N5819 1A 40V pour redressement rapide et faible chute de tension.
- Type : Barrière Schottky haute performance
- Courant direct (I_F) : 1 A
- Tension inverse (V_RRM) : 40 V
- Chute de tension (V_F) : 0.6 V max
- Boîtier : DO-41 axial
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Pont de diodes redresseur monophasé MB6F 600V 0.5A boîtier miniature SOP-4 pour circuits imprimés compacts.
- Tension inverse de crête (VRRM) : 600 V
- Courant direct moyen : 0,5 A
- Boîtier : SOP-4 / MBF ultra-fin
- Montage : CMS (Surface Mount)
- Protection : Jonction passivée au verre
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